Capacité : 1 To

Format : M.2 2280

Débit de transfert interne : 7450 Mo/s (lecture) / 6900 Mo/s (écriture)

Type de mémoire flash NAND : 3 bits par cellule (TLC)

Caractéristiques : Prise en charge TRIM, mode veille, Auto Garbage Collection Algorithm, Dynamic Thermal Guard protection, 1 GB Low Power DDR4 SDRAM Cache, Samsung V-NAND 3bit MLC Technology, S.M.A.R.T., NVMe 2.0